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元件参数资料
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参数目录38700
> IRF5803D2 MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
型号:
IRF5803D2
RoHS:
否
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF5803D2 PDF
标准包装
95
系列
FETKY™
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
112 毫欧 @ 3.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
37nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1110pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
管件
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